Description
- Type : Transistor bipolaire NPN,
- Boîtier : TO-92
- Tension collecteur–base (VCBO) : 60V
- Tension collecteur–émetteur (VCEO) : 50V
- Courant collecteur max (IC) : 1A
- Puissance dissipable (Pc) : 750mW
- Tension base–émetteur (VEBO) : 6V
- Température de jonction max (Tj) : 150 °C
- Saturation (VCE(SAT)) : 0,15–0,3 V
