Description
- Type : Transistor bipolaire (BJT), PNP
- Tension collecteur-émetteur maximale (Vceo) : -100 V
- Courant de collecteur continu max. : -1 A
- Dissipation de puissance : 2 W
- Gain de courant DC (hFE) : minimum 25 à 100
- Fréquence de transition (fT) : 150 MHz
- Boîtier / encapsulation : SOT-89 (SMT), montage en surface
- Nombre de broches : 3
- Température de fonctionnement max. : 150 °C
- Usage typique : commutation ou amplification moyenne puissance, pilotes, circuits analogiques/numériques
