Description
- MOSFET interne : supporte jusqu’à 725 V, ce qui permet une marge de sécurité élevée
- Plage d’entrée : 85 VAC à 265 VAC
- Puissance maximale :
- 28,5 W en open‑frame à 230 VAC (≈20–28 W selon le design)
- Le design de référence RDR‑295 montre 5 V à 4 A soit 20 W continu
- Topologie flyback avec contrôle ON/OFF : sans boucle externe complexe
- Jitter de fréquence (124–140 kHz) : pour réduire les émissions EMI
- Réglage du courant limite via condensateur sur broche BP/M, pour adapter puissance et efficacité
- Extension automatique du temps ON pour améliorer la tenue en gamme basse tension
- Auto-alimentation (self-biased) : pas besoin de bobine auxiliaire
- Protection par cycle contre surintensité, surtension, surchauffe, court‑circuit, et redémarrage automatique (< 3 % puissance max)
- Thermal shutdown avec hystérésis et reprise automatique
- Protection OVP possible via diode Zener externe
- Consommation à vide :
- < 30 mW (avec bobine auxiliaire)
- < 150 mW (sans)
- Rendement > 80 % en charge (exemple RDR‑295 : ~82 % en charge pleine sur 115/230 VAC)
- Boîtier PDIP‑8
- Température de jonction : –40 °C à +150 °C
