Description
- Type : module IGBT demi‑pont (Half‑bridge)
- Technologie : IGBT Trench de 3ᵉ génération avec diodes CAL intégrées
- Boîtier : SEMITRANS 2, montage à vis avec connecteurs FASTON ou borne à vis
- Tension VCES 1200 V
- Courant IC nominal 190 A continu TC=25 °C
- Courant pulsé ICP≈ 200 A pulse (peak)
- VGE(sat) typ. ≈ 1,7–2,35 V à IC nominal
- Tension grille VGE max ±20 V
- IC on-state leakage ICES max ≈0,3 mA
- Eon ≈ 39 mJ, Eoff ≈ 64 mJ
- Température jonction de ‑40 °C à +150 °C
- Rth(j‑c) total ≈ 120 mK/W (jonction à boîtier)
- Isolation fiable jusqu’à 2500 VAC (1 min)
- Dimensions ≈ 106 × 62 × 31 mm
- Montage : vis M6/Faston
- Poids ≈ 78 g
