Description
- Type : N‑channel StrongIRFET™
- Tension Drain‑Source maximale (VDS) : 200 V
- Courant continu (ID) : jusqu’à 130 A (à 25 °C)
- Courant de crête (pulsé) : environ 520 A
- RDS(on) : 9,7 mΩ à VGS = 10 V
- VGS(th) (seuil de conduction) : ~4‑5 V (max 5 V à 250 µA)
- Charge de gate Qg : ~161 nC
- Puissance dissipable : jusqu’à 520 W (TC = 25 °C)
- Température de jonction max : +175 °C
- Boîtier : TO‑247
