Description
- Tension Drain‑Source (VDSS) : 250 V
- Courant continu de drain (ID) : 23 A (à 25 °C)
- Puissance dissipable (PD) : jusqu’à 220 W
- Tension maximale Gate‑Source (VGS) : ± 20 V
- Température de jonction max. (Tj) : 175 °C
- Résistance en conduction (RDS(on)) : 0,125 Ω à VGS = 10 V
- Tension de seuil (VGS(th)) : environ 4 V
- Charge de grille (Qg) : ~100 nC
- Temps de montée (tr) : 34 ns
- Boîtier : TO-247
- Technologie : 5ᵉ génération HEXFET, avalanche répétitive, capacité de fonctionnement parallèle, commandes de grille simples
