Description
MG50J2YS50 est un demi‑pont IGBT double N‑Channel avec diode de roue libre intégrée, conçu pour la commutation de forte puissance, typiquement utilisé dans les applications industrielles et de commande de moteurs
- Tension collecteur–émetteur (VCES) : 600 V
- Tension gate–émetteur max. (VGES) : ±20 V
- Courant collecteur continu (IC) : 50 A
- Courant de diode intégré (IF) : 50 A (pic 100 A)
- Puissance dissipable (PC) : 280 W en conditions T₍c₎ = 25 °C
- Température de jonction maximale (TJ) : 150 °C (stockage jusqu’à +125 °C)
- Isolation électrode–boîtier : 2500 V AC pendant 1 minute
- Tension de seuil gate–émetteur (VGE(off)) : entre 5 V et 8 V
- Tension de saturation (VCE(sat)) : typiquement 2,1 V à 50 A, maxi 2,7 V
- Tension directe diode (VF) : entre 2,30 V et 3,00 V à 50 A
- Temps de récupération inverse diode (trr) : entre 0,08 µs et 0,15 µs
- Résistance thermique jonction–boîtier : environ 0,45 °C/W pour l’IGBT, 0,90 °C/W pour la diode
