Description
MG150J2YS50 est un module IGBT double (demi-pont) de type N-channel, conçu pour les applications industrielles de commutation de puissance et le contrôle de moteurs.
- Tension maximale collecteur-émetteur (VCES) : 600 volts
- Courant nominal collecteur (IC) : 150 ampères en continu
- Tension de commande gate-émetteur (VGE) : ±20 volts maximum
- Tension de seuil (VGE(th)) : entre 5 et 8 volts
- Tension de saturation (VCE(sat)) : typiquement 2,1 V, maximum 2,7 V à 150 A
- Courant de fuite (ICES) : jusqu’à 2 mA à VCE = 600 V
- Temps de commutation (à 150 A, VCC = 300 V, VGE = ±15 V) :
- Temps de montée et descente : environ 0,15 à 0,30 microsecondes
- Temps d’allumage et d’extinction total : entre 0,5 et 1 microseconde
- Puissance dissipée maximale : 780 watts
- Température de jonction admissible : jusqu’à 150 °C
- Résistance thermique jonction–boîtier : 0,16 °C/W pour l’IGBT, 0,35 °C/W pour la diode
- Diode de roue libre intégrée :
- Tension directe : environ 2,3 à 3 volts à 150 A
- Temps de récupération inverse : environ 0,08 à 0,15 microseconde
- Isolation électrode–boîtier : 2500 VAC pendant 1 minute
- Type de boîtier : module à 7 broches, à visser, isolé électriquement du dissipateur
