Description
MG100J2YS50 , module IGBT double (demi-pont) N‑Channel avec diode intégrée, conçu pour la commutation haute puissance et les applications de contrôle moteur
- Tension collecteur–émetteur (VCES) : 600 V
- Courant collecteur continu (IC) : 100 A
- Tension gate–émetteur maximale : ±20 V
- Tension de seuil (VGE(off)) : 5 – 8 V
- Tension de saturation (VCE(sat)) : typiquement 2,10 V, jusqu’à 2,70 V à 100 A et VGE= 15 V
- Courant de fuite collecteur (ICES) : ≤ 1 mA à 600 V
- Courant de fuite gate (IGES) : ≤ ±500 nA à ±20 V
- Dissipation de puissance : jusqu’à 450 W en continu (TC = 25 °C)
- Température de jonction : –40 °C à +150 °C, stockage jusqu’à +125 °C
- Isolation électrode–boîtier : 2500 V AC pendant 1 minute
- Résistance thermique jonction–boîtier :
- IGBT : ≤ 0,28 °C/W
- Diode : ≤ 0,69 °C/W
