Description
- Fabricant : Infineon
- Catégorie de produits : Modules IGBT
- Produit : Modules IGBT silicium
- Configuration : Hex
- Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 1,2 kV
- Tension de saturation collecteur-émetteur : 2,15 V
- Courant collecteur continu à 25 °C : 105 A
- Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
- Dissipation de puissance Pd : 355 W
- Boîtier : Econo 2
- Température minimale de fonctionnement : – 40 °C
- Température maximale de fonctionnement : + 125 °C
- Tension maximale grille-émetteur : 20 V
- Série : Trenchstop IGBT3 – T3
- Hauteur : 17 mm
- Longueur : 107,5 mm
- Largeur : 45 mm
