Description
BSM50GD120DN2 est un module de puissance intégrant six transistors IGBT et six diodes de roue libre, configurés en pont triphasé (appelé aussi « full-bridge 3 phases »). Chaque IGBT est capable de bloquer une tension de 1200 V et de conduire un courant nominal de 50 A en continu.
- Tension collecteur-émetteur (VCE) : 1200 V
- Courant continu collecteur (IC) : 50 A à TC = 25 °C
- Courant d’impulsion (IC(pulsé)) : 100 A (1 ms)
- Puissance maximale dissipée (Ptot) : 350 W à TC = 25 °C
- Saturation VCE(sat) : 2,5 V
- Tension gate-émetteur (VGE) : ± 20 V max, seuil ≈ 6 V
- Temps de commutation : rise ≈ 80 ns, fall ≈ 70 ns
- Résistance thermique : jonction vers boîtier (RthJC) ≈ 0,2–0,5 K/W – jonction vers ambiance (RthJA) ≈ 40 K/W
- Gamme de températures : fonctionnement –40 °C à +150 °C, stockage –55 °C à +150 °C
- Configuration : pont complet 3‑phases avec diodes de roue libre intégrées
- Boîtier : EconoPACK 2A/2K, base métallique isolée, montage par vis ; dimensions ≈ 107,5 × 45 × 17 mm, poids ≈ 250–450
