MODULE IGBT « 7MBR35VP120A-56 » 1200V/35A

Description

• Type de composant : Module IGBT (avec diodes intégrées).
• Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
• Courant continu nominal : 35 A
• Courant crête (sur court instant) : 70 A
• Tension de conduction VCE(sat) typique : 2,15 V
• Tension directe de la diode intégrée : 2,0 V
• Temps de récupération de la diode (trr) : 0,35 µs
• Résistance thermique (IGBT) Rth(j-c) : 0,72 °C/W
• Température max jonction (Tj) : 175 °C
• Température boîtier (Tc) max : 125 °C
• Tension d’isolation : 2500 VAC (1 min) entre les parties isolées.