Description
- Type de composant : Module IGBT (avec diodes intégrées).
- Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
- Courant continu nominal : 35 A
- Courant crête (sur court instant) : 70 A
- Tension de conduction VCE(sat) typique : 2,15 V
- Tension directe de la diode intégrée : 2,0 V
- Temps de récupération de la diode (trr) : 0,35 µs
- Résistance thermique (IGBT) Rth(j-c) : 0,72 °C/W
- Température max jonction (Tj) : 175 °C
- Température boîtier (Tc) max : 125 °C
- Tension d’isolation : 2500 VAC (1 min) entre les parties isolées.
