Description
- Référence : IHW20N120R2
- Marquage : H20R1202
- Type : IGBT à conduction inverse avec diode intégrée
- Technologie : TrenchStop & FieldStop (NPT), pour une commutation douce, faible bruit EMI, comportement thermique stable, et une mise en parallèle facilitée
- Tension collecteur‑émetteur (VCE) : 1200 V
- Courant collecteur continu (IC) : 20 A
- Courant d’impulsion (IC) : jusqu’à 40 A
- Tension de saturation (VCE(sat)) : 1,85V
- Puissance dissipable (Ptot) : 330 W
- Tension grille‑émetteur max (VGE) : ±20 V
- Température jonction max (Tj max) : +150 °C
- Technologie de la diode intégrée : Diode monolithique à faible chute
- Résistance thermique/dissipation en parallèle : Coefficient positif (NPT)
- Boîtier : TO‑247‑3
