Description
- Type : IGBT à conduction inverse (Reverse‑conducting), équipé d’une diode monolithique intégrée.
- Technologie : TrenchStop™ d’Infineon (pour faible VCEsat, bonne répartition de paramètres, robustesse thermique, commutation douce)
- Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
- Courant collecteur continu (IC) : 15 A (jusqu’à 30 A en pic court)
- Dissipation maximale (Ptot): 254 W
- Température de jonction maximale (Tj max) : +175 °C
- Température de stockage : –55 °C à +175 °C
- VCE(sat) : 1,48 V
- Temps de montée (ton) : 370 ns
- Temps de descente (toff) : 300 ns
- Charge totale de porte : 165 nC
- Référence Physique : IHW15N120R3
- Marquage : H15R1203
- Boîtier : TO247‑3
