Description
- Type : diode de commutation (small-signal / high-speed switching diode)
- Configuration : triple diode isolée (3 diodes indépendantes dans un même boîtier)
- Boîtier / Montage : SMD, SOT363
- Tension inverse maximale : jusqu’à 100 V
- Courant direct moyen (par diode) : 200 mA en continu
- Courant d’impulsion : jusqu’à 4 A (pour des impulsions très courtes)
- Tension directe : ~ 0.715 V à IF = 1 mA, jusqu’à ~1.25 V à des courants plus élevés
- Temps de recouvrement inverse : très rapide — ≤ 4 ns. Cela signifie qu’elle commute vite, ce qui est utile pour les signaux rapides ou la commutation.
- Capacité parasite (diode capacitance) : faible — typiquement ≤ 1.5 pF, ce qui aide à limiter les effets parasites dans des circuits haute fréquence.
- Température de fonctionnement : -65 °C à +150 °C.
