Description
- Driver de porte (gate driver) pour MOSFET / IGBT.
- Configuration non‑inverting, canal unique (single‑channel / single‑output).
- Boîtier : SOT‑23‑6 (SOT‑26), montage SMD / CMS.
- Tension d’alimentation maximale : 40 V.
- Courant de sortie de crête (peak) : 5 A (source / sink) ce qui permet de charger/décharger rapidement la gate d’un MOSFET / IGBT.
- À partir d’un petit courant d’entrée (~ 10 mA), le driver peut délivrer typiquement ~ 1.5 A dans la gate.
- Temps de commutation rapide : rise time : 8.9 ns, fall time : 8.9 ns.
- Délai de propagation : très faible — ~ 2 ns.
- Dissipation de puissance maximale (Pd) : 1.1 W.
- Très faible courant de repos
- Plage de température de fonctionnement : –55 °C à +150 °C.
