Description
- Type de mémoire : EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory).
- Capacité mémoire : 64 Kbit, organisé en 8 192 octets × 8 bits
- Organisation mémoire : 8 K × 8 bits.
- Interface : parallèle (bus d’adresses + bus de données + signaux de contrôle : CE, OE, WE).
- Boîtier / Package : SOIC-28 (28 broches, montage CMS / SMD)
- Tension d’alimentation : 5 V, tolérance ±10 % (soit validement 4.5 V à 5.5 V)
- Temps d’accès en lecture : 150 ns (accès rapide)
- Cycle d’écriture (page write) : possibilité d’écrire de 1 à 64 octets en une opération.
- Consommation : courant actif max ~ 40 mA, courant veille (standby) CMOS < 100 µA.
- Endurance / Durabilité
- Nombre de cycles d’écriture/effacement : typiquement 100 000 cycles.
- Rétention des données : au moins 10 ans.
- Températures de fonctionnement : –40 °C à +85 °C
- Compatibilité logique : entrées/sorties compatibles CMOS et TTL.
- Protection : protection hardware & software contre les écritures involontaires ; mécanisme “Data Polling / Toggle Bit” pour détecter la fin d’un cycle d’écriture
