Description
- Type : Transistor bipolaire NPN (BJT) – usage général, faible puissance, commutation rapide
- Boîtier : SOT-23 (CMS)
- Vceo (tension collecteur-émetteur max) :40 V
- Vcbo (collecteur-base max) : 75 V
- Vebo (émetteur-base max) : 6 V
- Ic max (courant collecteur) : 600 mA
- Ptot (puissance dissipée) : 310 mW (à 25 °C, boîtier SOT-23)
- Tj (température jonction) : –55 °C → +150 °C
- hFE (gain en courant DC) : 100 à 300 (à Ic = 150 mA, Vce = 10 V)
- Vce(sat) (saturation collecteur-émetteur) : 0,3 V (Max. 1 V )
- Vbe(on) (base-émetteur en conduction) : 0,65 – 0,85 V
- Ft (fréquence de transition) : 250 MHz
