Description
Catégorie de produits : Transistors bipolaires (BJT)
Boîtier : SOT-93
Polarité du transistor : NPN
Courant collecteur CC maximal : 10 A
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 100 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Dissipation de puissance Pd : 80 W
Température minimale de fonctionnement : – 65 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Gain collecteur/base CC hFE min. : 40
