Description
Fabricant : Toshiba
Catégorie de produits : Transistors bipolaires – BJT
Boîtier : TO-3P
Polarité du transistor : PNP
Courant collecteur DC maximal : 15 A
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 230 V
Tension collecteur-base VCBO : 230 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,5 V
Puissance dissipée Pd : 150 W
Gain produit fT : 30 MHz
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Série : 2SA
Courant collecteur continu : – 15 A
Gain collecteur/base DC hFE min. : 55
Gain courant DC hFE max. : 160
Hauteur : 26 mm
Longueur : 20,5 mm
Largeur : 5,2 mm
