Description
- Type : NPN BJT (transistor bipolaire)
- Vceo (tension collecteur-émetteur max) : 50 V
- Ic (courant collecteur max) : 150 mA
- hFE (gain en courant DC) : 70 à 700
- fT (fréquence de transition) : 150 MHz
- Applications : amplification BF, commutation faible puissance
