Description
Fabricant : Toshiba
Catégorie de produits : Transistors bipolaires – BJT
Boîtier : TO-264
Polarité du transistor : NPN
Courant collecteur DC maximal : 15 A
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 230 V
Tension collecteur-base VCBO : 230 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 400 mV
Dissipation de puissance Pd : 150 W
Gain bande passante produit fT : 30 MHz
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Série : 2SC
Courant collecteur continu : 15 A
Gain collecteur/base CC hFE min. : 55
Gain courant CC hFE max. : 160
