Description
– Type : Transistor NPN
– Boîtier : TO-3PN
– Tension collecteur-émetteur (Vceo) : 230 V
– Tension collecteur-base (Vcbo) : 230 V
– Tension émetteur-base (Vebo) : 5 V
– Courant collecteur (Ic ) : 8 A
– Puissance dissipée (Ptot) : 150 W
– Gain en courant continu (hFE) : 40 à 140 (selon Ic et Vce)
– Fréquence de transition (ft) : 30 MHz
– Applications :
- Amplificateurs audio haute puissance
- Étages de sortie dans amplificateurs de puissance
- Applications RF modérées
