Description
Polarité : PNP, silicium plan‑type
Tension collecteur–émetteur (VCEO) : −120 V
Tension collecteur–base (VCBO) : −120 V
Tension émetteur–base (VEBO) : −6 V
Courant collecteur continu (IC) : −8 A
Gain en courant (hFE) : ≥ 50
Fréquence de transition (fT) : ≈ 20 MHz
Tension VCE(sat) : −1,5 V à IC=−3 A, IB=−0,3 A
Dissipation thermique (PC) : 80 W
Température jonction max. (Tj) : +150 °C
