Description
- Type : demi‐pont (Half‑Bridge)
- Technologie : IGBT Trench (3ᵉ génération) avec diodes CAL intégrées
- Boîtier : SEMITRANS 3, connecteurs à vis sur 7 bornes
- VCES (max) 1200 V
- IC nominal (25 °C) 400 A
- IC continu max 660 A 25 °C
- Restriction court-circuit Self-limiting jusqu’à 6× IC
- VCE(sat) (typique)~1,7 V ICnom
- VGE max ±20 V
- Température jonction max 150 °C
- E_on typ ≈ 39 mJ, E_off ≈ 64 mJ
- Temps de commutation typiques (non précisés mais rapides, IGBT Trench)
- Diodes : pour inverseur : Vf ≈ 1,6–2 V, I_F continu 490 A
- Dimensions : 106 × 62 × 31 mm
- Montage : fixation M6, bornes à vis
- R_th(j‑c) typique mentionnée dans la fiche Semikron
- Isolation : 2500 VAC (1 min)
