Description
Tension (V):1200 V
Courant (A): 40 A
Logement: SEMITRANS M
Gamme de produits: SEMITRANS
Type de produit: SKM40GD124
Technologie: IGBT
Caractéristiques
– Entrée MOS (contrôlée en tension)
– Structure silicium homogène canal N (IGBT non perforé NPT)
– Puces haute densité à faibles pertes
– Faible courant de queue
– Haute résistance aux courts-circuits, autolimitée à 6 x Icnom
– Sans verrouillage
– Diodes CAL inverses rapides et souples 8)
– Embase en cuivre isolée grâce à la technologie DCB (liaison directe cuivre) sans moule dur
– Distances d’isolement importantes (9 mm) et lignes de fuite importantes (13 mm)
Applications typiques
– Alimentations à découpage
– Onduleurs triphasés pour la régulation de la vitesse des moteurs CA
