Module IGBT « Skm40gd123d » (1200V-25A)

IGBT Modules–Skm40gd123d

Description

Le module IGBT SKM40GD123D de Semikron (SEMITRANS M/Six‑pack) est un demi-pont 1200 V / 40 A très robuste, conçu pour les applications industrielles exigeantes comme les variateurs, onduleurs et alimentations découplées.

  • Tension maximale collecteur-émetteur VCES : 1200 V, adapté aux réseaux 400 VAC triphasés
  • Courant continu nominal IC : 40 A à une température de boîtier de 25 °C 
  • Courant de crête ICM : jusqu’à 70 A pour tp = 1 ms (ou 50 A à 80 °C)
  • Tension de commande grille‑émetteur VGE : ±20 V max
  • Courant inverse diode IF : 45 A continu, pic de 70 A à 25 °C
  • Capacité de dissipation par IGBT : ~200 W à 25 °C
  • Température jonction : de –40 °C à +150 °C (stockage : –40…+125 °C)
  • Isolation : base isolée en cuivre, testée à 2500 VAC pendant 1 minute. Distances de fuite et claquage requises sont respectées
  • Commande MOS avec gate Trench et diode CAL à récupération adoucie, limitant les phénomènes d’overshoot et interférences EMI
  • Inductance de boîtier faible, assurant une commutation rapide et efficace, avec des fréquences de commutation utilisables au-delà de 15 kHz
  • Protection court-circuit : self-limiting jusqu’à 6 fois le courant nominal, sans phénomène de latch-up
  • Boîtier SEMITRANS M Six‑pack, montage par vis sur dissipateur, baseplate en DCB cuivre isolé avec faibles résistances thermiques.
  • Dimensions environ 105 × 45 × 24 mm (longueur × largeur × hauteur)
  • Poids unitaire autour de 0,42 kg
  • Conçu pour fonctionner en continu à haute température jonction (+150 °C), avec gestion efficace des pertes grâce à une dissipation thermique optimisée.