Module IGBT « Skiip32nab12t1 » (1200V-50A)

د.ت 625,000

Module : IGBT–skiip32nab12t1

Description

  • Vce(sat) typique : 2,5 V (3,1 V max) à 25 A, 25 °C
  • Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V
  • Courant continu Ic : 65 A à 25 °C / 45 A à 80 °C
  • Courant impulsionnel ICM : 130 A / 90 A à 80 °C (tp < 1 ms)
  • Fréquence de commutation : jusqu’à ~20 kHz (d’un module similaire)
  • Énergie de commutation : ~6,2 mJ à 25 A
  • Diodes inverseur/chopper : Vf ≈ 2 V, Qrr ≈ 40 µC
  • Diodes du redresseur : Vf ≈ 1,2 V, capable de 35 A continu
  • Rth j‑h (jonction vers dissipateur) : environ 1 K/W
  • Isolation crête : 2500 VAC (1 min)
  • Température jonction : –40 °C jusqu’à +150 °C, stockage jusqu’à +125 °C
  • Dimensions : 59 × 52 × 16 mm
  • Poids : ≈0,08 kg selon revendeurs
  • Module CIB tout-en-un : redressement, freinage, inversion
  • Connexions fiables : contacts à ressort
  • Performance élevée : 1200 V / 65 A / 130 A pic — adapté jusqu’à ~36 kVA
  • Compact : format MiniSKiiP 3, montage rapide
  • Applications : variateurs de vitesse, UPS, onduleurs PV, CNC, pompes, moteurs triphasés industriels