Description
Module Intelligent Power Module (IPM) triphasé, intégrant 3 demi‑ponts avec IGBTs RC, diodes de roue libre et drivers intégrés (SOI) pour les étages haut et bas, contrôle bootstrap et protection contre les erreurs (OCP, UVLO, SCP, TSD, etc.)
- Tension de blocage : 600 V (VCES)
- Courants : Courant continu : ±15 A (TC = 25 °C) – Pic jusqu’à ±30 A (durée < 1 ms)
- Courant de dissipation : PC ≈ 33 W par IGBT (TC = 25 °C)
- Temps dynamiques (à IC = 15 A) :
- VCESAT ≈ 1.8 V
- Temps de montée/descente ≈ 0.15–0.40 µs (haute et basse side)
- Retards d’allumage/extinction de l’ordre de 0.5–2.5 µs
- Protection SCP (Short-Circuit Protection) :
- Trip current VCIN ≈ 0.48 V
- Déclenchement FO = 20 µs
- Température de fonctionnement : Boîtier : –25 °C à +100 °C – Jonction maximale : jusqu’à +150 °C
- Isolation : 1500 Vrms entre broches et plaque de fixation
- Résistance thermique : R_th(j–c) ~3.7 °C/W pour IGBT, ~4.5 °C/W pour diodes
- Broches typiques : HINx, LINx, VBx/VSx, P/V/U/W, NU/NV/NW, CIN, FO, etc.
- Contrôle directement via signaux PWM 3,3–5 V (TTL/CMOS), entrée CIN pour seuil OCP, sortie FO pour alarme.
