Description
-Pont onduleur triphasé IGBT configuré avec la dernière technologie IGBT et diode de 3e génération.
– IGBT côté P : circuit de commande, circuit de décalage de haut niveau, schéma d’alimentation du circuit d’amorçage pour commande d’une source d’alimentation de contrôle unique et protection contre les sous-tensions (UV).
– IGBT côté N : circuit de commande, circuit de détection de courant de liaison CC et circuit d’amplification pour la protection contre les surintensités, la protection contre les sous-tensions d’alimentation de contrôle (UV) et circuit de signalisation de sortie de défaut (FO).
– Sortie de défaut : court-circuit (SC) de l’IGBT côté N, surintensité (OC) et sous-tension d’alimentation de contrôle (UV).
– Détection de courant analogique de l’onduleur : détection de courant de liaison CC de l’IGBT côté N.
– Interface d’entrée : compatible CMOS/TTL 5 V, entrée trigger de Schmitt et fonction de protection de verrouillage Arm-Shoot-Through
