Description
Fabricant : IXYS
Catégorie de produit : MOSFET
Boîtier : TO-247
Polarité du transistor : N-Channel
Vds – Tension de claquage drain-source : 900 V
Id – Courant drain continu : 12 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 1.1 mOhms
Vgs – Tension grille-source : – 20 V, + 20 V
Température minimale de fonctionnement : – 55 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Pd – Dissipation de puissance : 300 W
Nom commercial : HyperFET
Série : IXFH12N90
Temps de descente : 18 ns
Temps de montée : 12 ns
Temps de retombée : 51 ns
Temps d’activation : 18 ns
