Description
POWER MOS IV
VDS = 500 V
ID = 48 A
RDS = 0.1 Ω
IDPulse = 192A
Tj = 150 °C
VGS : ± 30 V
Power Mosfet N-channel APT5010JN (500V-48A)
MOSFETS DE PUISSANCE HAUTE TENSION À MODE D’AMÉLIORATION DU N-CHANNEL
10 Rue Ahmed Khaireddine, Megrine Tunis – Tunisie
(+216) 29 884 366
contact@sfig.tn