Description
Courant élevé
Faible résistance à l’état passant
Pas de claquage secondaire
Faible puissance d’entraînement
VDS = 100 V
ID = 32 A
RDS = 0.05 Ω
IDPulse = 128A
Tj = 150 °C
VGS : ± 20 V
Power Mosfet N-channel 2SK906 (100V-32A)
Courant élevé
Faible résistance à l’état passant
Pas de claquage secondaire
Faible puissance d’entraînement
VDS = 100 V
ID = 32 A
RDS = 0.05 Ω
IDPulse = 128A
Tj = 150 °C
VGS : ± 20 V