Power MOSFET « IXFR90N30 » N-Channel 300V/75A TO-247

Description

• MOSFET N-channel de puissance
• Tension drain-source VDS = 300 V
• Courant drain continu ID ≈ 75 A (Tc = 25 °C)
• Courant pulsé > 300 A (selon conditions)
• Résistance à l’état passant RDS(on) ≈ 33 mΩ à VGS = 10 V, ID = 45 A
• Tension grille-source max VGS = ±20 V
• Tension de seuil VGS(th) ≈ 4.5 V
• Charge de grille Qg ≈ 360 nC (forte, nécessite un driver)
• Capacité d’entrée Ciss ≈ 10 000 pF
• Diode interne rapide intégrée
• Puissance maximale dissipable ≈ 400 W (avec bon refroidissement)
• Température de jonction –55 °C à +150 °C