Power MOSFET « IRFD9014 » P-Channel DIP-4

Description

• Type : MOSFET canal P (P-Channel MOSFET)
• Tension drain-source (VDS) : –60 V
• Tension gate-source maximale (VGS Max) : ± 20 V
• Courant continu drain (ID) : –1.1 A (à 25 °C)
• R-on (RDS(on)) typique / max : 0.50 Ω (VGS = –10 V, ID ≈ –0.66 A)
• Charge de grille (Qg, gate charge) : max ~ 12 nC (pour VGS = –10 V)
• Capacité d’entrée (Ciss) : ~ 270 pF (VDS = –25 V, VGS = 0 V)
• Puissance dissipable (P_D) : ~ 1.3 W (ta = 25 °C)
• Température de fonctionnement : de –55 °C à +175 °C (jonction)
• Paquet / Boîtier : HVMDIP – DIP 4 broches