Description
- Type : MOSFET canal N, enhancement mode
- Boîtier : HVMDIP – DIP 4 broches
- Vds (Drain-Source) max : 60 V
- Id (Courant drain continu) : 1,7 A à 25 °C
- Id (Courant drain impulsionnel) : 14 A
- Vgs max (tension grille-source) : ±20 V
- Rds(on) : ≈ 0,20 Ω à Vgs = 10 V
- Vgs(th) (tension de seuil) : 2 – 4 V
- Dissipation maximale (Pd) : ~1,3 W (boîtier DIP-4)
- Température de fonctionnement : −55 °C à +150 °C
- Charge totale de grille (Qg) : ~11 nC
- Temps de commutation : rapide, quelques dizaines de ns
Applications typiques:
- Commutation faible puissance
- Pilotage de petites charges
- Convertisseurs DC-DC ou circuits logiques
- Petits relais électroniques ou opto-isolateurs
