Description
- Type : Power MOSFET N-Channel (transistor à effet de champ)
- Technologie : CoolMOS™ 900 V
- Tension drain-source (VDS) : 900 V
- Résistance à l’état passant RDS(on)(max.) : 0,34 Ω (à 25 °C)
- Charge de grille totale (Qg) : 94 nC
- Courant continu de drain (ID) : 15 A
- Dissipation de puissance (Ptot) : 208 W
- Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
