Description
- Référence : IPP60R160C6 (6R160C6)
- Fabricant : Infineon Technologies
- Type : MOSFET de puissance canal N (CoolMOS™ C6)
- Boîtier : TO-220, traversant
- Tension Drain-Source VDS max : 600 V
- Tension Gate-Source VGS max : ±20 V
- Tension de seuil VGS(th) : 3 à 4 V (typique ≈3,5 V)
- Courant Drain continu ID : 23,8 A (Tc = 25 °C)
- Courant Drain impulsionnel ID(pulse) : 70 A (selon conditions)
- Résistance à l’état passant RDS(on) : 0,16 Ω à VGS = 10 V
- Charge totale de grille Qg : 75 nC
- Puissance dissipable Pd : 170–176 W
- Température de jonction : −55 °C à +150 °C
- Diode interne : intégrée, IF ≈20 A
- Applications typiques : alimentations à découpage, PFC, onduleurs, commandes moteurs, convertisseurs haute tension
