Description
- Type : Optocoupleur (photocoupleur) — GaAs LED + phototransistor
- Sortie : Transistor (NPN phototransistor)
- Nombre de canaux : 2 canaux (TLP504A — DIP-8)
- Boîtier / Package : DIP-8 plastique (through-hole)
- Tension d’isolement (isolation galvanique) : 2.500 Vrms minimum
- Tension collecteur-émetteur maximale (Vceo) : 55 V
- Tension directe LED (forward voltage, Vf) : 1.3 V
- Courant de diode d’entrée maximal (If) : ~ 16 mA
- Courant collecteur maximal (Ic) : ~ 10 mA
- Taux de transfert de courant (CTR) : ≈ 50 % (minimum) — ratio courant sortie / courant entrée.
- Temps de commutation : Rise time ~ 2 µs, fall time ~ 3 µs
- Tension inverse diode LED (Vr) : ≈ 5 V
- Plage de température de fonctionnement : −55 °C à +100 °C
- Puissance dissipable : 250 mW
