Description
- Type : optocoupleur phototransistor, 1 canal, broche base accessible, boîtier DIP‑6
- Tension d’isolation : jusqu’à 5000 Vrms
- Tension collecteur–émetteur max (Vᴄᴇᴏ) : ≈ 30 V (70 V breakdown, 30 V fonctionnel)
- Courant collecteur max (Iᴄ) : 50 mA continu, 100 mA crête (1 ms)
- Courant LED forward (IF max) : 60 mA continu
- Tension LED forward (VF) : ~1,5 V
- Current Transfer Ratio (CTR) : ≥ 20 % à IF = 10 mA
- Tension de saturation (Vᴄᴇ(sat)) : ≤ 0,5 V
- Temps de commutation : tₙᵣ ~ tf ≈ 3 µs
- Température de fonctionnement/storage : –55 °C à +100 °C (stockage jusqu’à +125 °C)
- Distances de fuite : ≥ 7 mm
