Description
- Type : MOSFET de puissance, canal P (P‑channel).
- Technologie : STripFET™ F6
- Tension drain‑source (V_DSS) : –60 V
- Résistance en conduction (R_DS(on)) : 0,13 Ω, max 0,16 Ω
- Courant de drain continu (I_D) : jusqu’à –10 A
- Dissipation de puissance maximale : 35 W
- Boîtier : DPAK / TO‑252‑3
- Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : max ~ 4 V
- Plage de température de fonctionnement : jusqu’à +175 °C
- Caractéristiques de commutation : très faible charge de grille → permet des commutations efficaces.
- Robustesse avalanche : bonne résistance aux avalanche, ce qui rend le MOSFET robuste face aux surtensions.
- Faible perte au pilotage : grâce à la technologie F6.
