Mosfet P-channel « STD10P6F6 » (-60V/-10A) TO-252

Description

• Type : MOSFET de puissance, canal P (P‑channel).
• Technologie : STripFET™ F6
• Tension drain‑source (V_DSS) : –60 V
• Résistance en conduction (R_DS(on)) : 0,13 Ω, max 0,16 Ω
• Courant de drain continu (I_D) : jusqu’à –10 A
• Dissipation de puissance maximale : 35 W
• Boîtier : DPAK / TO‑252‑3
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : max ~ 4 V
• Plage de température de fonctionnement : jusqu’à +175 °C
• Caractéristiques de commutation : très faible charge de grille → permet des commutations efficaces.
• Robustesse avalanche : bonne résistance aux avalanche, ce qui rend le MOSFET robuste face aux surtensions.
• Faible perte au pilotage : grâce à la technologie F6.