Mosfet P-channel « IRFP9140 » (100V-21A) TO-247

Description

• Type : MOSFET canal P, enhancement-mode
• Tension Drain‑Source maximale (VDSS) : 100 V
• Courant Drain continu (ID) : 21‑23 A (à température boîtier Tc à 25 °C)
• Résistance RDS(on) : 0,20 Ω max à VGS=‑10 V et ID=13 A
• Tension de seuil VGS(th) : jusqu’à 4 V (à 250 µA)
• Tension Gate‑Source maximale : ± 20 V
• Temps de montée tr : 73‑79 ns
• Dissipation de puissance (Pd) : ~180 W (Tc = 25 °C)
• Température de jonction maximale TJ : jusqu’à 175 °C 
• Boîtier : TO-247