Description
- Type : MOSFET canal P
- Boîtier : SOT-223 (CMS)
- Tension drain-source (Vds) max : –250 V
- Courant drain continu (Id) : –225 mA
- Courant crête pulsé (Id,pulse) : –600 mA
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 15 Ω
- Tension de grille (Vgs) max : ±20 V
- Puissance de dissipation (Ptot) : 1,5 W
- Température de jonction (Tj) : –55 °C à +150 °C
