Description
– Faible résistance drain-source à l’état passant : RDS (ON) = 0,22 Ω (typ.)
– Admittance de transfert direct élevée : |Yfs| = 8,5 S (typ.)
– Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 500 V)
– Mode d’amélioration : Vth = 2,0 à 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
ID = 20 A
IDPulse = 80A
Tj = 150 °C
VGS : ± 30 V
