Mosfet N-channel « STD12NF06T4 » (60V/12A) TO-252

Description

• Type : N‑channel Power MOSFET
• Tension drain-source (V_DSS) : 60 V
• Courant drain continu (ID) : 12 A
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0,08 Ω, maximum 0,1 Ω
• Puissance dissipable totale : 30 W
• Boîtier / package : DPAK (TO‑252‑3)
• Tension gate-source (VGS) maximale : ± 20 V.
• Seuil de tension de la gate (VGS(th)) : ~3 V.
• Caractéristique dv/dt : “exceptionnelle” → bon support des commutations rapides.
• Charge de gate : faible (technologie STripFET II) → bon pour commutation efficace.
• Énergie d’avalanche : testé à 100% indique une bonne robustesse face aux surtensions.
• Résistance thermique (jonction → boîtier) : 5 °C/W.
• Températures de fonctionnement : -55°C à +175°C.