Description
NCEP8588, MOSFET de puissance N‑Channel en technologie Super Trench
- Type : MOSFET canal N
- Tension drain-source max (VDS) : 85 V
- Courant drain max (ID) : 88 A
- Courant d’impulsion (IDM) : jusqu’à 320 A
- Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 6.4 mΩ (maximum 7.5 mΩ)
- Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
- Tension de seuil VGS(th) : 2.5 à 4.5 V
- Puissance dissipée (PD) : 125W
- Charge totale de la grille (Qg) : 44 nC
- Temps de commutation : Montée : 50 ns / Descente : 10 ns
- Température de jonction (Tj max) : 175 °C
- Boîtier : TO-220
