Mosfet N-channel « NCE8290 » (82V-90A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N
• Tension drain-source max (VDS) : 82 V
• Courant drain max (ID) : 90 A
• Courant d’impulsion (IDM) : jusqu’à 320 A
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 7.5 mΩ (maximum  8.5 mΩ)
• Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
• Tension de seuil VGS(th) : 2.0 à 4.0 V
• Puissance dissipée (PD) : 170W
• Charge totale de la grille (Qg) : 85.7 nC
• Temps de commutation : Montée : 54.3 ns / Descente : 37.3 ns
• Température de jonction (Tj max) : 175 °C
• Boîtier : TO-220