Mosfet N-channel « NCE55H12 » (55V-120A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N
• Tension drain-source max (VDS) : 55 V
• Courant drain max (ID) : 120 A
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 4.1 mΩ (maximum  5,5 mΩ)
• Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
• Tension de seuil VGS(th) : 2.0 à 4.0 V
• Puissance dissipée (PD) : 200 W
• Charge totale de la grille (Qg) : 125 nC
• Temps de commutation : Montée : 19 ns / Descente : 30 ns
• Température de jonction (Tj max) : 175 °C
• Boîtier : TO-220